太陽能教學實驗臺設備中關于硅材料檢測測試平臺文章由優(yōu)質實驗設備廠家為您提供，歡迎咨詢有關太陽能教學實驗臺設備中關于硅材料檢測測試平臺周邊問題，或實驗設備的批發(fā)報價安裝設計成套咨詢。

在我們的太陽能教學實驗平臺中，有專門測試硅材料的測試平臺?？捎糜诠璨牧蠙z測的一些實訓項目，也可用于硅材料技術、光伏材料加工及應用技術的一些專業(yè)。該太陽能教學實驗臺設計精確，可以根據(jù)常用的測試項目測試一些硅片或相關產品的電學性能。該實訓平臺可進行的實訓項目有:

1，電導率測試:

太陽能教學實驗平臺進行電導率測試的原理是:半導體與冷熱探針接觸后，由于載流子的熱運動與溫度有關，熱區(qū)載流子的熱運動速度快，冷區(qū)載流子的熱運動速度慢，因此在冷熱端形成空穴或自由電子的濃度差，從而產生

2。用四探針法測試硅單晶電阻率:

4探針法是用四個針距約為1毫米的探針同時壓在硅單晶樣品的平面上，用恒流源向外部的兩個探針施加電流，然后用電位計測量中間兩個探針上的壓降，然后根據(jù)推導出的簡化公式，四個探針以等間距排列在同一條直線上，此時探針系數(shù)為常數(shù)

在實際測量工作中，為了計算方便，經常使電流I等于探頭系數(shù)C的值，即I=C，因此ρ；=V23時，探針2和3之間測得的電勢差值等于樣品的電阻率

3和少數(shù)載流子壽命測試:

太陽能教學實驗臺采用電脈沖和光脈沖方法從半導體中激發(fā)不平衡載流子，調節(jié)半導體的體電阻，電導率增加，樣品電阻減小，因此流過樣品的高頻電流幅度增大。通過測量體電阻或串聯(lián)電阻兩端電壓的變化規(guī)律，觀察半導體材料中不平衡少數(shù)載流子的衰減規(guī)律，從而測量其壽命。

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